Microchip Technology APTGL90H120T3G

包装/外壳

SP3-32

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SP3

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85 V

Continuous Collector Current at 25 C

110 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

385 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

110 A

Base Product Number

APTGL90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGL90H120T3G

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.68

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

配置

全桥

功率耗散

385

功率 - 最大

385 W

输入

Standard

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

385 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 75A

集电极电流-最大值(IC)

110 A

连续集电极电流

110

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

4.4 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.25 V

产品

IGBT硅模块