Microchip Technology APTGLQ40DDA120CT3G

包装/外壳

SP3-32

安装类型

通孔

供应商器件包装

SP6

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

底座安装

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Pd - Power Dissipation

250 W

Gate-Emitter Leakage Current

120 nA

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

RoHS

Details

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

Base Product Number

APTGLQ40

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

Dual

功率 - 最大

250 W

输入

Standard

最大集极截止电流

100 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 40A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

2.3 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块