Microchip Technology APTGT225DU170G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SP6

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

7

供应商器件包装

SP6

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current at 25 C

340 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

1.25 kW

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

340 A

Base Product Number

APTGT225

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7 kV

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

450 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

1100 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT225DU170G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.24

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.25 kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

Dual

元素配置

Dual

功率耗散

1.25

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1250 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.7 kV

最大集电极电流

340 A

最大集极截止电流

500 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700 V

输入电容

20 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 225A

集电极电流-最大值(IC)

340 A

连续集电极电流

340

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1700 V

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

20 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块