Microchip Technology APTGT30A170T1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SP1-12

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

1

供应商器件包装

SP1

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current at 25 C

45 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

210 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

45 A

Base Product Number

APTGT30

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7 kV

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最大功率耗散

210 W

配置

Dual

元素配置

Dual

功率 - 最大

210 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.4 V

最大集电极电流

45 A

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700 V

输入电容

2.5 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 30A

连续集电极电流

45

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

2.5 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块