Microchip Technology APTGT600U170D4G

包装/外壳

D4-5

安装类型

底座安装

供应商器件包装

D4

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current at 25 C

1.1 kA

Gate-Emitter Leakage Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

2.9 kW

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

12.345887 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1100 A

Base Product Number

APTGT600

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率耗散

2.9

功率 - 最大

2900 W

输入

Standard

最大集极截止电流

1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 600A

连续集电极电流

1.1

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

51 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块