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价格梯度

内地含税价

1

￥568.207289
10

￥536.044613
100

￥505.702463
500

￥477.077795
1000

￥450.073391

Microchip Technology APTGT75H60T1G

Name: APTGT75H60T1G
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APTGT75H60T1G
Price: 568.21 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APTGT75H60T1G

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APTGT75H60T1G

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SP1-12

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules DOR CC8024View in Development Tools Selector

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--最小包装量--

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APTGT75H60T1G Microchip Technology IGBT Modules DOR CC8024View in Development Tools Selector

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APTGT75H60T1G详情

技术参数

Microchip Technology APTGT75H60T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SP1-12
安装类型

底座安装
供应商器件包装

SP1
RoHS

Details
Unit Weight

2.821917 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Mounting Styles

底座安装
Maximum Gate Emitter Voltage

20 V
Maximum Operating Temperature

+ 100 C
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Pd - Power Dissipation

250 W
Gate-Emitter Leakage Current

600 nA
Continuous Collector Current at 25 C

100 A
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V
Package

Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)

100 A
Base Product Number

APTGT75
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
包装

Tube
操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
配置

全桥
功率 - 最大

250 W
输入

Standard
最大集极截止电流

250 µA
电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A
连续集电极电流

100
IGBT类型

沟渠现场停车
NTC热敏电阻

有
输入电容(Cies)@Vce

4.62 nF @ 25 V
产品

IGBT硅模块

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APTGT75H60T1G拓展信息

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