Microchip Technology APTGTQ100SK65T1G

包装/外壳

SP1

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

SP1

终端数量

10

晶体管元件材料

SILICON

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65 V

Continuous Collector Current at 25 C

100 A

Gate-Emitter Leakage Current

240 nA

Pd - Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 A

Base Product Number

APTGTQ100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

35 ns

Operating Temperature-Min

-40 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

231 ns

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGTQ100SK65T1G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.72

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X10

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

250 W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

100 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

最大耗散功率(Abs)

250 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 100A

集电极电流-最大值(IC)

100 A

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

650 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

6 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.2 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4.7 V

产品

IGBT硅模块