Microchip Technology ARF1501

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-1

表面安装

YES

供应商器件包装

T-1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

30 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1 kV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

13 ns

Forward Transconductance - Min

5.5 mS

Pd - Power Dissipation

1.5 kW

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Unit Weight

0.669777 oz

Continuous Drain Current Id

30

Package

Tube

Base Product Number

ARF1501

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rated

1000 V

Voltage, Rating

1 kV

Number of Elements

1

Mounting Styles

法兰安装

Rds On - Drain-Source Resistance

-

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

ARF1501

Package Style

FLATPACK

Package Description

CERAMIC PACKAGE-6

Package Shape

SQUARE

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.8

Drain Current-Max (ID)

30 A

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

额定电流

30A

最大功率耗散

1.5 kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

30 A

频率

27.12MHz

引脚数量

6

JESD-30代码

S-CDFP-F6

资历状况

不合格

工作频率

40 MHz

配置

N-Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5

箱体转运

ISOLATED

输出功率

750 W

晶体管应用

AMPLIFIER

上升时间

5 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

30 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

17 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N通道

功率 - 输出

750W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1500 W

噪声图

-

电压-测试

250 V

最高频段

甚高频段

测试电压

250 V

辐射硬化

无

无铅

无铅