Microchip Technology ARF476FL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

-

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

-

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Transistor Polarity

N-Channel

Id - Continuous Drain Current

10 A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Fall Time

4 ns

Forward Transconductance - Min

3 mS

Pd - Power Dissipation

910 W

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.3 V

Unit Weight

0.462535 oz

Continuous Drain Current Id

10

Package

Tray

Base Product Number

ARF476

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Voltage Rated

500 V

Voltage, Rating

500 V

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12 ns

Rds On - Drain-Source Resistance

-

Mounting Styles

法兰安装

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ARF476FL

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.27

Drain Current-Max (ID)

10 A

系列

-

包装

Bulk

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH VOLTAGE

额定电流

10A

最大功率耗散

910 W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

10 A

频率

128MHz

JESD-30代码

R-XDFM-F8

资历状况

不合格

工作频率

150 MHz

配置

2 N-Channel (Dual) Common Source

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

910

输出功率

900 W

接通延迟时间

5.1 ns

测试电流

15 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

15 mA

上升时间

4.1 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

10 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

15 dB

最高频率

150 MHz

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

功率 - 输出

900W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

噪声图

-

电压-测试

150 V

最高频段

甚高频段

测试电压

150 V

无铅

无铅