Microsemi MRF5812R2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

底架

表面贴装

包装/外壳

SOIC

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Discontinued

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

转换频率

5000MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

最小直流增益（hFE）

50

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

2pF

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant