MRF5812R2
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Microsemi MRF5812R2

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型号

MRF5812R2

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-MRF5812R2

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SOIC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MRF5812R2 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - RF product details from Microsemi stock available at utmel

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MRF5812R2详情

Microsemi MRF5812R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOIC

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.25W

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Discontinued

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    8

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    200mA

  • 转换频率

    5000MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 最小直流增益(hFE)

    50

  • 最高频段

    超高频B型

  • 集电极-基极电容-最大值

    2pF

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Microsemi MRF5812R2.

MRF5812R2拓展信息

JAN2N2857
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