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技术文档
型号
MRF5812R2
品牌
Microsemi
utmel 编号
1619-MRF5812R2
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
SOIC
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MRF5812R2 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - RF product details from Microsemi stock available at utmel
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MRF5812R2详情
技术参数
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Microsemi MRF5812R2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)
底架
表面贴装
包装/外壳
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.25W
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
200mA
转换频率
5000MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
最小直流增益(hFE)
50
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
2pF
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
技术文档: Microsemi MRF5812R2.
MRF5812R2拓展信息
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Microsemi Corporation
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:MRF5812GR1
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:Microsemi Corporation
库存:180
型号:1090MP
封装:55FW-1
库存:0
型号:MRF586
封装:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
型号:TAN250A
封装:55AW
型号:1014-6A
封装:55LV
型号:2N3866A
库存:39
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