Microsemi Corporation 1214-110M
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1214-110M
1619-1214-110M
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55KT
大陆
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Trans GP BJT NPN 75V 8A 3-Pin Case 55KT-1
1最小包装量--
1214-110M详情
Microsemi Corporation 1214-110M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
32 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55KT
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
75V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2000
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
270W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
功率 - 最大
270W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
75V
最大集电极电流
8A
增益
7.4dB
频率转换
1.2GHz~1.4GHz
最高频段
L B
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
1214-110M拓展信息


















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