Microsemi Corporation 1214-32L
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1214-32L
1619-1214-32L
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55AW-1
大陆
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RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
1最小包装量--
1214-32L详情
Microsemi Corporation 1214-32L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55AW-1
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
125W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
125W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A 5V
增益
7.8dB ~ 8.9dB
频率转换
1.2GHz~1.4GHz
最高频段
L B
RoHS状态
符合RoHS标准
1214-32L拓展信息

















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