Microsemi Corporation 2N2857

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

200mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

频率

1.6GHz

配置

SINGLE

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

40mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 3mA 1V

增益

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

转换频率

1600MHz

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

噪音数字(分贝类型@ f)

4.5dB @ 450MHz

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant