Microsemi Corporation APL602J
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APL602J
1619-APL602J
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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Trans MOSFET N-CH 600V 43A 4-Pin SOT-227
1最小包装量--
APL602J详情
Microsemi Corporation APL602J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
22 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
质量
30.000004g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
565W Tc
Turn Off Delay Time
58 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
锡银铜
附加功能
UL 认证
电压 - 额定直流
600V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
43A
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
565W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 21.5A, 12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9000pF @ 25V
上升时间
24ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
43A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
雪崩能量等级(Eas)
3000 mJ
高度
9.6mm
长度
38.2mm
宽度
25.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APL602J拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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