Microsemi Corporation APL602LG

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

730W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

600V

端子位置

SINGLE

额定电流

49A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

730W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 24.5A, 12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9000pF @ 25V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

49A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅