Microsemi Corporation APT10021JFLL
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APT10021JFLL
1619-APT10021JFLL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
1最小包装量--
APT10021JFLL详情
Microsemi Corporation APT10021JFLL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
37A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
694W Tc
Turn Off Delay Time
80 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
已出版
1997
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
UL 认证
电压 - 额定直流
1kV
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
37A
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
694W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
29 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
210m Ω @ 18.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9750pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
395nC @ 10V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
37A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
雪崩能量等级(Eas)
3600 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT10021JFLL拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
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