APT10025JVFR
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Microsemi Corporation APT10025JVFR

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型号

APT10025JVFR

utmel 编号

1619-APT10025JVFR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227

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APT10025JVFR
APT10025JVFR Microsemi Corporation Trans MOSFET N-CH 1KV 34A 4-Pin SOT-227

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APT10025JVFR详情

Microsemi Corporation APT10025JVFR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    ISOTOP®

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    34A

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    97 ns

  • 包装

    Tube

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 已出版

    1997

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    1kV

  • 最大功率耗散

    700W

  • 额定电流

    34A

  • 功率耗散

    700W

  • 接通延迟时间

    22 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    250mOhm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    18000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    990nC @ 10V

  • 上升时间

    20ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1000V

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    34A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 输入电容

    18nF

  • 最大rds

    250 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation APT10025JVFR.

右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & APT10025JVFR相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    查看对比:
  • APT10025JVFR

    APT10025JVFR

    Chassis Mount, Screw

    SOT-227-4, miniBLOC

    1000V

    34 A

    34A

    250 mΩ

    30 V

    700 W

    700 W

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