Microsemi Corporation APT1002RBNG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

240W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS IV®

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

105nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

DS 击穿电压-最小值

1000V

RoHS状态

符合RoHS标准