Microsemi Corporation APT1201R6SVFRG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

供应商器件包装

D3 [S]

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

370W

额定电流

8A

功率耗散

280W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6Ohm @ 4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

230nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

4.44nF

最大rds

860 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅