Microsemi Corporation APT19F100J
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APT19F100J
1619-APT19F100J
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
1最小包装量--
APT19F100J详情
Microsemi Corporation APT19F100J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
460W Tc
Turn Off Delay Time
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
POWER MOS 8™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
电压 - 额定直流
1kV
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
19A
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
460W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
36 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
440m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
260nC @ 10V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT19F100J拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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