Microsemi Corporation APT30M19JVFR

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

70 ns

Power Dissipation (Max)

700W Tc

Number of Elements

1

已出版

1997

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

FREDFET

电压 - 额定直流

300V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

130A

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

975nC @ 10V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

130A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520A

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅