Microsemi Corporation APT30M40JVR
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APT30M40JVR
1619-APT30M40JVR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4-Pin SOT-227
--最小包装量--
APT30M40JVR详情
Microsemi Corporation APT30M40JVR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
31 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
450W Tc
Turn Off Delay Time
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
POWER MOS V®
已出版
1997
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH VOLTAGE
电压 - 额定直流
300V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
70A
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
450W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
425nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
雪崩能量等级(Eas)
2500 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT30M40JVR拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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