Microsemi Corporation APT32F120J

工厂交货时间

22 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

质量

30.000004g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

960W Tc

Turn Off Delay Time

315 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

1.2kV

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

32A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

100 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

320m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.32Ohm

漏源击穿电压

1.2kV

雪崩能量等级（Eas）

2700 mJ

高度

9.6mm

长度

38.2mm

宽度

25.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅