Microsemi Corporation APT34N80LC3G

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

质量

10.6g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

417W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

34A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

417W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

145m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

355nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

34A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

高度

5.21mm

长度

26.49mm

宽度

20.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅