Microsemi Corporation APT37M100B2
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APT37M100B2
1619-APT37M100B2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3 Variant
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MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
1最小包装量--
APT37M100B2详情
Microsemi Corporation APT37M100B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
37A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1135W Tc
Turn Off Delay Time
150 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
纯哑光锡
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
1kV
端子位置
SINGLE
额定电流
37A
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
44 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
330m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9835pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
305nC @ 10V
上升时间
40ns
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
37A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
无铅
APT37M100B2拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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