Microsemi Corporation APT40M35JVFR

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

93A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 5mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

400V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

93A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 46.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1065nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

93A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

372A

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅