Microsemi Corporation APT40N60JCU2
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APT40N60JCU2
1619-APT40N60JCU2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
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MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
1最小包装量--
APT40N60JCU2详情
Microsemi Corporation APT40N60JCU2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
质量
30.000004g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
290W Tc
Turn Off Delay Time
115 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
290W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7015pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
259nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.07Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
高度
9.6mm
长度
38.2mm
宽度
25.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT40N60JCU2拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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