Microsemi Corporation APT40SM120B
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APT40SM120B
1619-APT40SM120B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
大陆
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MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
--最小包装量--
APT40SM120B详情
Microsemi Corporation APT40SM120B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
制造商包装标识符
TO-247 (B)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
41A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
273W Tc
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
273W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 20A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2560pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
连续放电电流(ID)
41A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
1.2kV
雪崩能量等级(Eas)
2500 mJ
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
25.96mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT40SM120B拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
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