APT40SM120B
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Microsemi Corporation APT40SM120B

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型号

APT40SM120B

utmel 编号

1619-APT40SM120B

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 1200V 41A TO247

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APT40SM120B Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 41A TO247

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APT40SM120B详情

Microsemi Corporation APT40SM120B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 制造商包装标识符

    TO-247 (B)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    41A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    20V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    273W Tc

  • Turn Off Delay Time

    32 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    1997

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    273W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100m Ω @ 20A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA (Typ)

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2560pF @ 1000V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    130nC @ 20V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V

  • Vgs(最大值)

    +25V, -10V

  • 连续放电电流(ID)

    41A

  • 阈值电压

    1.7V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    1.2kV

  • 雪崩能量等级(Eas)

    2500 mJ

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 高度

    25.96mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

APT40SM120B拓展信息

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