Microsemi Corporation APT4M120K

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

225W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

1.2kV

端子位置

SINGLE

额定电流

4A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1385pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

4.4ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

6.9 ns

连续放电电流(ID)

5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

3.8Ohm

漏源击穿电压

1.2kV

高度

9.19mm

长度

10.26mm

宽度

4.72mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅