Microsemi Corporation APT5010B2VRG

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

54 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

500V

最大功率耗散

520W

额定电流

47A

功率耗散

520W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

470nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

500V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

47A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

10.2nF

最大rds

22 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅