Microsemi Corporation APT50GF120LRG

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

800V, 50A, 1 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

781W

额定电流

156A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

781W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

135A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

106 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

520 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

340nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

25ns/260ns

开关能量

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅