Microsemi Corporation APT50GR120JD30
- 收藏
- 对比
APT50GR120JD30
1619-APT50GR120JD30
晶体管 - IGBT - 模块
SOT-227-4
大陆
立即发货

IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
1最小包装量--
APT50GR120JD30详情
Microsemi Corporation APT50GR120JD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
22 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
417W
配置
Single
功率 - 最大
417W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
3.2V
最大集电极电流
84A
最大集极截止电流
1.1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
5.55nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
30V
输入电容(Cies)@Vce
5.55nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT50GR120JD30拓展信息
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。