Microsemi Corporation APT50GS60BRDLG
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APT50GS60BRDLG
1619-APT50GS60BRDLG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 93A 3-Pin(3 Tab) TO-247
1最小包装量--
APT50GS60BRDLG详情
Microsemi Corporation APT50GS60BRDLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Current-Collector (Ic) (Max)
93A
Test Conditions
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1999
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
415W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
415W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
93A
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.15V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
闸门收费
235nC
集极脉冲电流(Icm)
195A
Td(开/关)@25°C
16ns/225ns
开关能量
755μJ (off)
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APT50GS60BRDLG拓展信息
Microsemi Corporation
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