Microsemi Corporation APT50N60JCCU2
- 收藏
- 对比
APT50N60JCCU2
1619-APT50N60JCCU2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-227-4, miniBLOC
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
1最小包装量--
APT50N60JCCU2详情
Microsemi Corporation APT50N60JCCU2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
290W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
290W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 22.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 3mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
150nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
600V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APT50N60JCCU2拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation








哦! 它是空的。