Microsemi Corporation APT56F60L

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

23 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1040W Tc

Turn Off Delay Time

190 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.04kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

65 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

280nC @ 10V

上升时间

75ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

56A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准