Microsemi Corporation APT58M50JCU2

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

543W Tc

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270A

DS 击穿电压-最小值

500V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准