Microsemi Corporation APT5F100K

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

72 ns

Power Dissipation (Max)

225W Tc

Number of Elements

1

系列

POWER MOS 8™

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

1kV

端子位置

SINGLE

额定电流

5A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 500μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1409pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

21ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

2.9Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅