Microsemi Corporation APT66F60B2

工厂交货时间

22 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1135W Tc

Turn Off Delay Time

225 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

75 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

330nC @ 10V

上升时间

85ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

66A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

245A

DS 击穿电压-最小值

600V

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准