Microsemi Corporation APT77N60SC6

工厂交货时间

25 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

481W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

CoolMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

481W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 44.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 2.96mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260nC @ 10V

上升时间

27ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

77A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

272A

DS 击穿电压-最小值

600V

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准