Microsemi Corporation APT8020JLL

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

质量

30.000004g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

520W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

800V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

33A

引脚数量

4

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 16.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

高度

9.6mm

长度

38.2mm

宽度

25.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅