Microsemi Corporation APT8024B2LLG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

565W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

800V

端子位置

SINGLE

额定电流

31A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

565W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240m Ω @ 15.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4670pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

160nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

31A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅