Microsemi Corporation APT80F60J

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

961W Tc

Turn Off Delay Time

408 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

134 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23994pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

598nC @ 10V

上升时间

156ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

123 ns

连续放电电流(ID)

84A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

3352 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准