Microsemi Corporation APT97N65LC6

工厂交货时间

22 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

97A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

862W Tc

Turn Off Delay Time

275 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 48.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 2.96mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

97A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

650V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准