Microsemi Corporation APTC60DAM24CT1G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

462W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

95A Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

CoolMOS™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

12

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 47.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

95A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准