Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G
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APTCV60HM70RT3G
1619-APTCV60HM70RT3G
晶体管 - IGBT - 模块
SP3
大陆
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Power Module 20-Pin Case SP-3 T/R
1最小包装量--
APTCV60HM70RT3G详情
Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
250W
配置
全桥逆变器
功率 - 最大
250W
输入
单相桥式整流器
集电极发射器电压(VCEO)
1.9V
最大集电极电流
50A
最大集极截止电流
250μA
输入电容
3.15nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 50A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.15nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
APTCV60HM70RT3G拓展信息
Microsemi Corporation
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