Microsemi Corporation APTCV60TLM45T3G

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

24

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

活跃

终止次数

32

最大功率耗散

250W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

32

JESD-30代码

R-XUFM-X32

配置

Three Level Inverter - IGBT, FET

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

250W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

4.62nF

接通时间

170 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

310 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

4.62nF @ 25V

VCEsat-最大值

1.9 V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准