Microsemi Corporation APTCV60TLM70T3G
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APTCV60TLM70T3G
1619-APTCV60TLM70T3G
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 24-Pin Case SP-3
1最小包装量--
APTCV60TLM70T3G详情
Microsemi Corporation APTCV60TLM70T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
24
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~175°C TJ
已出版
2012
零件状态
活跃
终止次数
16
附加功能
AVALANCHE ENERGY RATED, ULTRA LOW-ON RESISTANCE
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
32
JESD-30代码
R-CDFM-X16
配置
三级逆变器
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
176W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
最大集极截止电流
250μA
最大耗散功率(Abs)
176W
接通时间
170 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
310 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
3.15nF @ 25V
VCEsat-最大值
1.9 V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTCV60TLM70T3G拓展信息
Microsemi Corporation
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