Microsemi Corporation APTCV90TL12T3G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

32

最大功率耗散

280W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

32

配置

Three Level Inverter - IGBT, FET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

280W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

80A

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2.77nF

接通时间

80 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

370 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

2.77nF @ 25V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准